元素硅是一種灰色、易碎、四價(jià)的非金屬化學(xué)元素。地殼成分中27.8%是硅元素構(gòu)成的,僅次于氧元素含量排行第二,硅是自然界中比較富的元素。在石英、瑪瑙、隧石和普通的灘石中就可以發(fā)現(xiàn)硅元素。硅晶片又稱晶圓片,是由硅錠加工而成的,通過的工藝可以在硅晶片上刻蝕出數(shù)以百萬計(jì)的晶體管,被廣泛應(yīng)用于集成電路的制造。

現(xiàn)有晶圓片生產(chǎn)過程中,需要從一道生產(chǎn)工序轉(zhuǎn)移到下一道生產(chǎn)上,現(xiàn)有技術(shù)中依靠人力進(jìn)行傳送,傳送過程的耗費(fèi)人力,且人為傳送力道不能掌握,容易造成破片。為此,我們提供了一種自動(dòng)晶圓傳片器以解決以上問題。

通過設(shè)置設(shè)備箱體、卡匣定位結(jié)構(gòu)、檢測機(jī)構(gòu)和推料機(jī)構(gòu),使得在晶圓片傳送時(shí)能夠通過卡匣定位結(jié)構(gòu)對卡匣進(jìn)行定位，然后再通過檢測機(jī)構(gòu)檢測卡匣內(nèi)晶圓片的位置，避免晶圓片錯(cuò)位，后通過推料機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)卡匣的傳送,整個(gè)傳送過程簡單、易操作，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化傳片,且能夠?qū)A片進(jìn)行檢測避免晶圓片錯(cuò)位造成傳片損壞。

晶圓經(jīng)過前道工席后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同:
厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時(shí)，生產(chǎn)效率將大大降低;
厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會(huì)對晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過程更為復(fù)雜。
為了保護(hù)晶圓在切割過程中免受外部損傷，事先會(huì)在晶圓上貼敷膠膜，以便更安全的“切單”?！氨趁鏈p薄”過程中，膠膜會(huì)貼在晶圓的正面。但與此相反，在“刀片”切割中，膠膜要貼在晶圓的背面。而在共晶貼片，把分離的芯片固定在PCB或定架上過程中，貼會(huì)背面的這一膠膜會(huì)自動(dòng)脫落。切割時(shí)由于摩擦很大，所以要從各個(gè)方向連續(xù)噴灑DI水(去離子水)。而且，葉輪要附有金剛石顆粒，這樣才可以更好地切片。此時(shí)，切口(刀片厚度:凹槽的寬度)均勻，不得超過劃片槽的寬度。
很長一段時(shí)間，鋸切一直是被廣泛使用的傳統(tǒng)的切割方法，其大的優(yōu)點(diǎn)就是可以在短時(shí)間內(nèi)切割大量的晶圓。然而，如果切片速度大幅提高，小芯片邊緣剝落的可能性就會(huì)變大。因此，應(yīng)將葉輪的旋轉(zhuǎn)次數(shù)控制在每分鐘30000次左右。

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