傳統(tǒng)釬焊料熔點低、導(dǎo)熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應(yīng)用要求。此外隨著第三代半導(dǎo)體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對封裝的性能方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。AS9385有壓銀燒結(jié)技術(shù)是一種新型的高可靠性連接技術(shù)，在功率模塊封裝中的應(yīng)用受到越來越多的關(guān)注。
有壓銀燒結(jié)AS9385是一種新型的高可靠芯片粘接和鍵合技術(shù)，可確保無空隙和高強(qiáng)度鍵合，并具有的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性。 該技術(shù)可以將器件的結(jié)溫 (Tj) 低降至150℃。
在這種燒結(jié)過程中，在適當(dāng)?shù)膲毫Α囟群蜁r間條件下，經(jīng)過持續(xù)加熱，有壓燒結(jié)銀AS9385由粉末形態(tài)變?yōu)楣腆w結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)焊接材料相比，這種技術(shù)產(chǎn)生的燒結(jié)鍵更可靠，能夠提高器件的性能和壽命。
相對于焊料合金，銀燒結(jié)技術(shù)可以更有效的提高大功率硅基IGBT模塊的工作環(huán)境溫度及使用壽命。目前，AS9385銀燒結(jié)技術(shù)已受到高溫功率電子領(lǐng)域的廣泛關(guān)注，它特別適合作為高溫SiC器件等寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊的芯片互連界面材料。
芯片轉(zhuǎn)印是指將芯片在銀膜上壓一下，利用芯片銳利的邊緣，在銀膜上切出一個相同面積的銀膜并粘連到芯片背面。
以AS9385有壓燒結(jié)銀膏為例，在燒結(jié)過程中，銀顆粒通過接觸形成燒結(jié)頸，銀原子通過擴(kuò)散遷移到燒結(jié)頸區(qū)域，從而燒結(jié)頸不斷長大，相鄰銀顆粒之間的距離逐漸縮小，形成連續(xù)的孔隙網(wǎng)絡(luò)，隨著燒結(jié)過程的進(jìn)行，孔洞逐漸變小，燒結(jié)密度和強(qiáng)度顯著增加，在燒結(jié)后階段，多數(shù)孔洞被完全分割，小孔洞逐漸消失，大空洞逐漸變小，直到達(dá)到終的致密度。
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