SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面：

1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。

2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開(kāi)關(guān)速度非?？?，開(kāi)關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。

但是，由于SBD的反向勢(shì)壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管大。

對(duì)于點(diǎn)接觸型肖特基二極管，它在微波通信電路方面具有重要地位。此外，鋁硅肖特基二極管在高頻電路中扮演著檢波和鑒頻的角色，取代了傳統(tǒng)的檢波二極管。需要注意的是，肖特基二極管的反向耐壓相對(duì)較低，不適用于高反壓電路。

肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)：器件本身具有很高的開(kāi)關(guān)頻率，而且它的反向擊穿電壓比較的低。同時(shí)因?yàn)榧夹g(shù)的不斷改進(jìn)，對(duì)新型材料的使用，使得肖特基二極管本身充滿了生機(jī)以及很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

面結(jié)合型管性能要優(yōu)于點(diǎn)接觸管,

主要原因在于:
1) 點(diǎn)接觸管表面不易清潔，針點(diǎn)壓力會(huì)造成半導(dǎo)體表面畸變。其接觸勢(shì)壘不是理想的肖特基勢(shì)壘受到機(jī)械震動(dòng)時(shí)還會(huì)產(chǎn)生顫抖噪聲。面結(jié)合型管金半接觸界面比較平整不暴露而較易清潔其接觸勢(shì)壘幾乎是理想的肖特基勢(shì)壘。

2) 不同的點(diǎn)接觸管在生產(chǎn)時(shí)壓接壓力不同使得肖特基結(jié)的直徑不同。因此性能一致性差可靠性也差。

面結(jié)合型管采用平面工藝性能穩(wěn)定,一致性好,不易損壞。圖中給出一種面結(jié)合型二極管的結(jié)構(gòu)圖和等效電路。從中可以看出各部分的結(jié)構(gòu)尺寸量級(jí)。通常這種管芯要進(jìn)行封裝才能方便地使用。肖特基勢(shì)壘二極管的典型封裝結(jié)構(gòu)可采用“炮彈”式、微帶式、SOT貼片式等。
肖特基二極體大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極管，其反向偏壓額定耐壓高只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實(shí)務(wù)設(shè)計(jì)上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問(wèn)題，肖特基二極體實(shí)際使用時(shí)的反向偏壓都會(huì)比其額定值小很多。當(dāng)然，隨著工藝技術(shù)和肖特基二極管技術(shù)的進(jìn)步，其反向偏壓的額定值也再提高。

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