校準區(qū)截面呈方形，晶圓上料裝置和晶圓收料裝置對應(yīng)設(shè)置在方形的相鄰兩側(cè)邊，晶圓取放裝置對應(yīng)設(shè)置在晶圓上料裝置和邊緣式校準器之間，且自動導(dǎo)片機還包括位于校準區(qū)的負離子發(fā)生器。這樣設(shè)置，結(jié)構(gòu)緊湊，設(shè)備運行，同時，負離子發(fā)生器可產(chǎn)生大量帶有正負電荷的氣流，可以將晶圓檢測區(qū)內(nèi)的物體表面所帶電荷中和。
晶圓制造廠把這些多晶硅融解，再在融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。
現(xiàn)有晶圓隔道通常采用裂片刀沿著切割線進行切開,使得容易造成芯片隔道交錯區(qū)域邊緣崩裂的同時產(chǎn)生的碎屑不好排出,并且現(xiàn)有的晶圓在裂片時,由于受到不同方向的力進行裂片,裂片效率較低,同時容易讓芯片發(fā)生位移,從而產(chǎn)生劃痕造成損傷。
所屬分類：電子產(chǎn)品制造設(shè)備/半導(dǎo)體設(shè)備
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