柵場(chǎng)效應(yīng)管信息我要推廣到這里
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IRF634B，封裝TO-220，IRF634B，配單。 深圳市潤(rùn)百信科技有限公司成立于2012年 以電子元器件的自主研發(fā)、代理銷售于一體的綜合性公司。主要研發(fā)經(jīng)銷國(guó)內(nèi)外電子元器件。秉持“誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)08月07日 -
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管品牌：美浦森型號(hào)：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..02月28日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管品牌：美浦森型號(hào)：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..02月28日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨SLD80N06T 參數(shù)：60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森型號(hào)： SLD80N06T電壓：60V 電流：8..02月28日
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場(chǎng)效應(yīng)管在不同技術(shù)文獻(xiàn)和應(yīng)用場(chǎng)景中可能有以下多種名稱或分類：1. ?按全稱與縮寫命名??MOSFET?（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）：其英文全稱縮寫，強(qiáng)調(diào)金屬-氧化物-半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特性??MOS管..02月28日
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MOT2366J P溝道MOSFET憑借85mΩ低導(dǎo)通電阻和-30V耐壓特性，成為能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的理想選擇。其優(yōu)化的開關(guān)性能（18ns/32ns）與PDFN3X3緊湊封裝，適配DC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高密度設(shè)計(jì)，工程師通過..02月27日
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晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。晶體管檢測(cè)項(xiàng)目外觀質(zhì)量、性能測(cè)試、功..02月27日
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中國(guó)功率場(chǎng)效應(yīng)管行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)及投資策略分析報(bào)告2022-2027年------------------------------------------*【報(bào)告編號(hào)】 337437【出版日期】 2022年2月 【出版機(jī)構(gòu)】 中研華泰研究院 【報(bào)告價(jià)..02月27日
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場(chǎng)效應(yīng)管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封裝：SOT23-6原裝現(xiàn)貨供應(yīng)可提供樣品測(cè)試和技術(shù)支持。如需更多了解更多型號(hào)及詳細(xì)信息DEMO或者規(guī)格書歡迎..02月27日
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PMOS 場(chǎng)效應(yīng)管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原裝。產(chǎn)品分類MOSFETs晶體管FET類型P溝道漏源電壓(Vdss)20V導(dǎo)通電阻Rds On(Max)260mΩ柵極電荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作溫度(Tj)-55°C~15..02月27日
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MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場(chǎng)效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..02月25日
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**低導(dǎo)通電阻**：MT3287/B采用的工藝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻，有效降低了電路中的能量損耗，提高了整體效率。 2. **高開關(guān)速度**：得益于其快速的開關(guān)響應(yīng)能力，MT3287/B在高頻應(yīng)用中..02月25日
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MT3205-N MOS管以其低內(nèi)阻、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的穩(wěn)定性而著稱。它采用的半導(dǎo)體制造工藝，能夠在高頻率下保持低損耗，是電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源及高速信號(hào)切換等應(yīng)用的理想選..02月25日
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MT3287-N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，作為一種增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），其核心優(yōu)勢(shì)在于其高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻以及快速的開關(guān)速度。該器件采用的半導(dǎo)體制造工藝，確保了在高溫..02月25日
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MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。其核心參數(shù)包括但不限于大漏極電流（ID）、漏源擊穿電壓（VDS）、柵源閾值電壓（VGS(th)）以及導(dǎo)通電阻（RDS(on)）等。這些參..02月25日
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MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場(chǎng)效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..02月25日
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供應(yīng)P&N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，本產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)量保證，價(jià)格優(yōu)惠，歡迎訂購(gòu)。12月09日
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描述 CoolMOS CE 是一項(xiàng)用于高壓功率 MOSFET 的革命性技術(shù)。其高耐壓能力將安全性與性能和耐用性相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)率水平的穩(wěn)定設(shè)計(jì)。800V CoolMOS CE 提供多種封裝選擇，有助于降低系統(tǒng)成本并..11月18日
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場(chǎng)效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。 ——————————11月12日
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Green Device Available Super Low Gate Charge?Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density Trenchtechnology? TheAP2N10 is the high cell density trenched..02月27日
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