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深圳市三佛科技有限公司供應20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場效應管，原裝，庫存現貨SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場效應管品牌：美浦森型號：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..02月28日 -
深圳市三佛科技有限公司供應60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場效應管，原裝，庫存現貨SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場效應管品牌：美浦森型號：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..02月28日
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深圳市三佛科技有限公司供應80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場效應管，原裝，庫存現貨SLD80N06T 參數：60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森型號： SLD80N06T電壓：60V 電流：8..02月28日
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場效應管在不同技術文獻和應用場景中可能有以下多種名稱或分類：1. ?按全稱與縮寫命名??MOSFET?（金屬氧化物半導體場效應晶體管）：其英文全稱縮寫，強調金屬-氧化物-半導體的結構特性??MOS管..02月28日
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MOT2366J P溝道MOSFET憑借85mΩ低導通電阻和-30V耐壓特性，成為能量轉換系統的理想選擇。其優(yōu)化的開關性能（18ns/32ns）與PDFN3X3緊湊封裝，適配DC-DC轉換、電機驅動等高密度設計，工程師通過..02月27日
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晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能。晶體管檢測項目外觀質量、性能測試、功..02月27日
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中國功率場效應管行業(yè)發(fā)展態(tài)勢及投資策略分析報告2022-2027年------------------------------------------*【報告編號】 337437【出版日期】 2022年2月 【出版機構】 中研華泰研究院 【報告價..02月28日
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場效應管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供應場效應管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封裝：SOT23-6原裝現貨供應可提供樣品測試和技術支持。如需更多了解更多型號及詳細信息DEMO或者規(guī)格書歡迎..02月28日
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0.10元PMOS 場效應管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原裝。產品分類MOSFETs晶體管FET類型P溝道漏源電壓(Vdss)20V導通電阻Rds On(Max)260mΩ柵極電荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作溫度(Tj)-55°C~15..02月28日
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2.00元MT6808D是一款基于半導體工藝制造的N溝道場效應晶體管（N-channel MOSFET），其設計旨在提供低導通電阻、高開關速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應管適用于各種需要電流控制和電壓調節(jié)的電路..02月25日
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2.00元**低導通電阻**：MT3287/B采用的工藝設計，實現了極低的導通電阻，有效降低了電路中的能量損耗，提高了整體效率。 2. **高開關速度**：得益于其快速的開關響應能力，MT3287/B在高頻應用中..02月25日
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2.00元MT3287-N溝道場效應管，作為一種增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），其核心優(yōu)勢在于其高電流承載能力、低導通電阻以及快速的開關速度。該器件采用的半導體制造工藝，確保了在高溫..02月25日
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2.00元MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應用設計的N溝道場效應晶體管。其核心參數包括但不限于大漏極電流（ID）、漏源擊穿電壓（VDS）、柵源閾值電壓（VGS(th)）以及導通電阻（RDS(on)）等。這些參..02月25日
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2.00元MT3205-N MOS管以其低內阻、高開關速度、低導通電阻和優(yōu)良的穩(wěn)定性而著稱。它采用的半導體制造工藝，能夠在高頻率下保持低損耗，是電源管理、電機驅動、開關電源及高速信號切換等應用的理想選..02月25日
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面議MT6808D是一款基于半導體工藝制造的N溝道場效應晶體管（N-channel MOSFET），其設計旨在提供低導通電阻、高開關速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應管適用于各種需要電流控制和電壓調節(jié)的電路..02月25日
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描述 CoolMOS CE 是一項用于高壓功率 MOSFET 的革命性技術。其高耐壓能力將安全性與性能和耐用性相結合，可實現率水平的穩(wěn)定設計。800V CoolMOS CE 提供多種封裝選擇，有助于降低系統成本并..11月18日
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31.00元場效應管(FET)，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。 ——————————11月12日
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Green Device Available Super Low Gate Charge?Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density Trenchtechnology? TheAP2N10 is the high cell density trenched..02月27日
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2SK3568 產品種類: MOSFET 制造商: Toshiba RoHS: 否 技術: Si 封裝 / 箱體: TO-220FP-3 通道數量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極..12月11日
黃頁88網提供2026最新管場效應管價格行情，提供優(yōu)質及時的管場效應管圖片、多少錢等信息。批發(fā)市場價格表的產品報價來源于共8家管場效應管批發(fā)廠家/公司提供的8935條信息匯總。
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