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壓敏電阻是一種用得最多的限壓器件。壓敏電阻有碳化硅壓敏電阻和氧化鋅壓敏電阻。 常用的是氧化鋅（ZnO）壓敏電阻，它主要是以氧化鋅為原料，添加多種微量金屬氧化物，經(jīng)混合成型，燒結裝配..09月13日
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結構 貼片壓敏電阻是主要以氧化鋅為基礎的陶瓷半導體產(chǎn)品。 主要采用下圖所示的積層結構，通過積層張數(shù)、層間的調整，可以控制擊穿電壓、靜電容量。 而TVS二極管是P型半導體和N型半導體結合而..09月13日
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注意事項 選用壓敏電阻器前，應先了解以下相關技術參數(shù)：標稱電壓是指在規(guī)定的溫度和直流電流下，壓敏電阻器兩端的電壓值。漏電流是指在25℃條件下，當施加最大連續(xù)直流電壓時，壓敏電阻器..09月13日
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mov壓敏電阻是一種非線性特性的電阻元器件，在受到不同電壓的情況下，壓敏電阻的工作方式會有所不同。它相當于一個可變電阻，它是并聯(lián)于電路中的。當電路在正常使用時，壓敏電阻的阻抗很高，..09月13日
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注意事項 選用壓敏電阻器前，應先了解以下相關技術參數(shù)：標稱電壓是指在規(guī)定的溫度和直流電流下，壓敏電阻器兩端的電壓值。漏電流是指在25℃條件下，當施加最大連續(xù)直流電壓時，壓敏電阻器..09月13日
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注意事項 選用壓敏電阻器前，應先了解以下相關技術參數(shù)：標稱電壓是指在規(guī)定的溫度和直流電流下，壓敏電阻器兩端的電壓值。漏電流是指在25℃條件下，當施加最大連續(xù)直流電壓時，壓敏電阻器..09月13日
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特性曲線 當電壓較低時，壓敏電阻工作于漏電流區(qū)，呈現(xiàn)很大的電阻，漏電流很??；當電壓升高進入非線性區(qū)后，電流在相當大的范圍內變化時，電壓變化不大，呈現(xiàn)較好的限壓特性；電壓再升高..09月13日
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mov壓敏電阻是一種非線性特性的電阻元器件，在受到不同電壓的情況下，壓敏電阻的工作方式會有所不同。它相當于一個可變電阻，它是并聯(lián)于電路中的。當電路在正常使用時，壓敏電阻的阻抗很高，..09月13日
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mov壓敏電阻是一種非線性特性的電阻元器件，在受到不同電壓的情況下，壓敏電阻的工作方式會有所不同。它相當于一個可變電阻，它是并聯(lián)于電路中的。當電路在正常使用時，壓敏電阻的阻抗很高，..09月13日
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貼片壓敏電阻和TVS二極管用作過電壓保護部件。 這些產(chǎn)品的結構和制造方法完全不同，但作為靜電保護器件具有相似的性質。 因此，雖然在電路上都可以使用，但存在判斷不能使用貼片壓敏電阻的情..09月13日
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mov壓敏電阻是一種非線性特性的電阻元器件，在受到不同電壓的情況下，壓敏電阻的工作方式會有所不同。它相當于一個可變電阻，它是并聯(lián)于電路中的。當電路在正常使用時，壓敏電阻的阻抗很高，..09月13日
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貼片壓敏電阻和TVS二極管用作過電壓保護部件。 這些產(chǎn)品的結構和制造方法完全不同，但作為靜電保護器件具有相似的性質。 因此，雖然在電路上都可以使用，但存在判斷不能使用貼片壓敏電阻的情..09月13日
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注意事項 選用壓敏電阻器前，應先了解以下相關技術參數(shù)：標稱電壓是指在規(guī)定的溫度和直流電流下，壓敏電阻器兩端的電壓值。漏電流是指在25℃條件下，當施加最大連續(xù)直流電壓時，壓敏電阻器..09月13日
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I-V曲線 貼片壓敏電阻和TVS二極管的電阻值會隨施加電壓的變化而改變。 貼片壓敏電阻可以進行雙向靜電保護。 TVS二極管以前大多是有方向性的，但最近雙向的TVS二極管也增加了。 但是，由于存在..09月13日
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mov壓敏電阻是一種非線性特性的電阻元器件，在受到不同電壓的情況下，壓敏電阻的工作方式會有所不同。它相當于一個可變電阻，它是并聯(lián)于電路中的。當電路在正常使用時，壓敏電阻的阻抗很高，..09月13日
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對施加過電壓的反應速度 從盤型壓敏電阻等初期的壓敏電阻時的記憶中，壓敏電阻的反應速度慢，經(jīng)常聽到這樣的話。 但是，如下圖所示，貼片壓敏電阻和TVS二極管對施加過電壓的反應速度一樣。 施..09月13日
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mov壓敏電阻是一種非線性特性的電阻元器件，在受到不同電壓的情況下，壓敏電阻的工作方式會有所不同。它相當于一個可變電阻，它是并聯(lián)于電路中的。當電路在正常使用時，壓敏電阻的阻抗很高，..09月13日
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結構 貼片壓敏電阻是主要以氧化鋅為基礎的陶瓷半導體產(chǎn)品。 主要采用下圖所示的積層結構，通過積層張數(shù)、層間的調整，可以控制擊穿電壓、靜電容量。 而TVS二極管是P型半導體和N型半導體結合而..09月13日
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結構 貼片壓敏電阻是主要以氧化鋅為基礎的陶瓷半導體產(chǎn)品。 主要采用下圖所示的積層結構，通過積層張數(shù)、層間的調整，可以控制擊穿電壓、靜電容量。 而TVS二極管是P型半導體和N型半導體結合而..09月13日
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