大功率LED不可歸類到貼片系列，它們功率及電流使用皆不相同，且光電參數(shù)相差甚巨。單顆大功率LED光源如未加散熱底座（一般為六角形鋁質(zhì)座），它的外觀與普通貼片無太大差距，大功率LED光源呈圓形，封裝方式基本與SMD貼片相同，但與SMD貼片在使用條件/環(huán)境/效果等都有著本質(zhì)上的區(qū)別。

電壓：LED燈珠使用低壓電源，供電電壓在 2-4V之間，根據(jù)產(chǎn)品不同而異，所以驅(qū)動它的是一個比高壓電源更安全的電源，特別適用于公共場所； 電流：工作電流在0—15mA，亮度隨電流的增大而變亮 效能：消耗能量較同光效的白熾燈減少 80%。

亮度 LED燈珠的亮度不同，價格不同。 燈珠：一般亮度為60-70 lm；球泡燈：一般亮度為80-90 lm。 1W紅光，亮度一般為30-40 lm；1W綠光，亮度一般為60-80 lm；1W黃光，亮度一般為30-50 lm；1W藍光，亮度一般為20-30 lm。 注：1W亮度為60-110lm；3W亮度高可達240lm；5W-300W是集成芯片，用串/并聯(lián)封裝，主要看多少電流，電壓，幾串幾并。 LED透鏡：一次透鏡一般用PMMA、PC、光學玻璃、硅膠（軟硅膠，硬硅膠）等材料。角度越大出光效率越高，用小角度的LED透鏡，光線要射得遠的。

半導體發(fā)光二極管和半導體激光器類似，也是一個PN結(jié)，也是利用外電源向PN結(jié)注入電子來發(fā)光的。半導體發(fā)光二極管記作LED，是由P型半導體形成的P層和N型半導體形成的N層，以及中間的由雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)成的有源層組成。有源層是發(fā)光區(qū)，其厚度為0.1～0.2μm左右。

半導體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)公差沒有激光器那么嚴格，而且無諧振腔。所以，所發(fā)出的光不是激光，而是熒光。LED是外加正向電壓工作的器件。在正向偏壓作用下，N區(qū)的電子將向正方向擴散，進入有源層，P區(qū)的空穴也將向負方向擴散，進入有源層。進入有源層的電子和空穴由于異質(zhì)結(jié)勢壘的作用，而被封閉在有源層內(nèi)，就形成了粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布。這些在有源層內(nèi)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布的電子，經(jīng)躍遷與空穴復合時，將產(chǎn)生自發(fā)輻射光。

此式稱為玻爾條件。式中h=6.626×10-34J·s。當發(fā)光二極管工作時，在正偏下，通常半導體的空導帶被通過結(jié)向其中注入的電子所占據(jù)，這些電子與價帶上的空穴復合，放射出光子，這就產(chǎn)生了光。發(fā)射的光子能量近似為特定半導體的導帶與價帶之間的帶隙能量。這種自然發(fā)射過程叫作自發(fā)輻射復合（圖1）。顯然，輻射躍遷是復合發(fā)光的基礎(chǔ)。注入電子的復合也可能是不發(fā)光的，即非輻射復合。在非輻射復合的情況下，導帶電子失去的能量可以變成多個聲子，使晶體發(fā)熱，這種過程稱為多聲子躍遷；也可以和價帶空穴復合，把能量交給導帶中的另一個電子，使其處于高能態(tài)，再通過熱平衡過程把多余的能量交給晶格，這種過程稱為俄歇復合。隨著電子濃度的提高，這種過程將變得更加重要。帶間躍遷時，輻射復合和非輻射復合的兩種過程相互競爭。有的發(fā)光材料表現(xiàn)為輻射復合占優(yōu)勢。