氮化硅陶瓷管件<br>

氮化硅有晶體和非晶體之分 , 所說(shuō)的非晶氮化硅就是無(wú) 定形氮化硅 , 而晶體氮化硅主要有早期的四方氮化硅 (晶格 常數(shù)為 a=9.245魡 , c=8.48魡 )、 常見(jiàn)的六方晶系氮化硅 (有兩 種晶形 , 即針狀結(jié)晶體 α-Si 3N 4和顆粒狀結(jié)晶體 β-Si 3N 4)、 立 方氮化硅<br>

氮化硅極耐高溫，強(qiáng)度一直可以維持到1200℃的高溫而不下降，受熱后不會(huì)熔成融體，一直到1900℃才會(huì)分解，并有驚人的耐化學(xué)腐蝕性能，能耐幾乎所有的無(wú)機(jī)酸和30%以下的燒堿溶液，也能耐很多有機(jī)酸的腐蝕；同時(shí)又是一種電絕緣材料
1285攝式度時(shí)與二氮化二鈣反應(yīng)生成二氮硅化鈣，600度時(shí)使過(guò)渡金屬還原，放出氮氧化物，抗彎強(qiáng)度為147MPa<br>


















































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相對(duì)分子質(zhì)量140.28，灰色、白色或灰白色<br>

氮化硅陶瓷表現(xiàn)出原始短裂紋的擴(kuò)展特征,即一旦達(dá)到臨界溫差TC,強(qiáng)度就突然下降,隨后進(jìn)入到裂紋準(zhǔn)靜態(tài)擴(kuò)展階段雖然在未進(jìn)行熱震試驗(yàn)時(shí),添加40%-Si3N4粉末的試樣B的抗彎強(qiáng)度高;但是完全由-Si3N4粉末制備試樣D的抗熱震性能好,其臨界熱震溫差TC為600這表明在納米尺度范圍內(nèi),晶粒較粗的氮化硅陶瓷具有較好的抗熱震性<br>

屬高溫難溶化合物，無(wú)熔點(diǎn)，抗高溫蠕變能力強(qiáng)，不含粘結(jié)劑的反應(yīng)燒結(jié)氮化硅負(fù)荷軟化點(diǎn)在1800℃以上<br>

氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標(biāo)的優(yōu)劣主要取決于合成方式與純度，材料內(nèi)未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化硅陶瓷的電性能，一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質(zhì)中的比電阻為1015～1016歐姆，介電常數(shù)是9.4～9.5，在高溫下，氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值，隨著工藝條件的提高，氮化硅可以進(jìn)入常用電介質(zhì)行列<br>

其中梁彎曲法相對(duì)簡(jiǎn)單，不需要特殊的試樣制備，且測(cè)得的彈性模量可以表征涂層的總體性能，而不受涂層相成分的影響 與單面涂層彎曲試樣相比，96:;<==［*］ 認(rèn)為雙面涂層試樣的測(cè)量精度更高<br>
關(guān)鍵詞：河南鞏義氮化硅，德國(guó)氮化硅陶瓷，合肥氮化硅，氮化硅煙臺(tái)，陜西省氮化硅陶瓷

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