刀片切割是指利用金剛石刀片對晶圓進行切割的工藝，這是一種純粹的物理切割來分裂晶圓，一般厚度100um以上的晶圓適用于該劃片方式。金剛石刀片在高速旋轉(zhuǎn)時沿切割道移動，將晶圓完全切透，同時會使用水來冷卻刀片和晶圓，減少熱損傷以及帶走切割產(chǎn)生的碎屑。


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劃片機一般提供兩種切割模式，單刀切割（Single Cut）和臺階式切割（Step Cut），實驗證明，劃片刀的設(shè)計不可能同時滿足正面崩角、分層及背面崩角的質(zhì)量控制的要求。這個結(jié)論對于晶圓厚度大于7 mil的低k晶圓尤為適用。為了減小正面金屬層與ILD層的分層，薄劃片刀會被采用，若晶圓較厚，則需選取刀鋒較長的刀片。但須注意，具有較高刀鋒／刀寬比的劃片刀在切割時會產(chǎn)生擺動，反而會造成較大的正面分層及背面崩角。

半導(dǎo)體晶圓切割用劃片刀頭在切割時，線速度是一個非常重要的參數(shù)，可以直接影響到切割效率和切割質(zhì)量。 以下是關(guān)于金剛石刀頭切割過程中線速度的介紹： 線速度是指切割線每分鐘旋轉(zhuǎn)的圈數(shù)，單位為m/min。 線速度過快，金剛石顆粒就會被削短，使刀頭變鈍，而且金剛石顆粒很容易掉落，影響切割質(zhì)量。 線速度過慢，刀頭會過度磨損，切割效率低下。 金剛石刀頭切割時，應(yīng)根據(jù)不同的材料選擇合適的線速度。

半導(dǎo)體晶圓切割用劃片刀頭在切割時，線速度是一個非常重要的參數(shù)，可以直接影響到切割效率和切割質(zhì)量。 以下是關(guān)于金剛石刀頭切割過程中線速度的介紹： 線速度是指切割線每分鐘旋轉(zhuǎn)的圈數(shù)，單位為m/min。 線速度過快，金剛石顆粒就會被削短，使刀頭變鈍，而且金剛石顆粒很容易掉落，影響切割質(zhì)量。 線速度過慢，刀頭會過度磨損，切割效率低下。 金剛石刀頭切割時，應(yīng)根據(jù)不同的材料選擇合適的線速度。

MEMS導(dǎo)電膠 絕緣膠 低應(yīng)力膠2025D 84-1LMI JM7000
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厚膜電路膠膜 506膠膜 5020膠膜 厚膜電路灌封膠 厚膜電路用膠 IGBT灌封膠
84-3J絕緣膠 芯片絕緣膠 樂泰導(dǎo)電膠 樂泰三防漆3900， 樂泰絕緣膠，芯片封裝膠，
光纖膠，光耦膠，電路灌封膠，傳感器灌封膠，電源灌封膠，樂泰UF3808底部填充膠 底部填充劑 微波器件導(dǎo)電膠，低應(yīng)力底部填充膠，高導(dǎo)熱灌封膠，BGA底部填充劑，BGA導(dǎo)熱膠，DAF膜，F(xiàn)OW膠膜，DAF膠膜，導(dǎo)電膠膜，導(dǎo)熱膠膜，芯片膠膜，封裝膠膜，IC膠膜，晶圓膠膜，UF1173射頻器件底部填充膠，高頻傳輸膠，相位膠，5G底部填充膠，基站膠。
通常在切割前會在晶圓背部貼上UV膜或藍(lán)膜，之后將貼有UV膜的晶圓放入劃片機中，設(shè)置好程序開始劃片，劃片結(jié)束后拿出晶圓，進行解UV等工序。藍(lán)膜成本較低，但是需要通過機械手段+溫度輔助才能將芯片剝離；而UV膜粘性可以通過紫外線照射來改變。在劃片完成后，晶圓被暴露在紫外光下，這使得膜的粘性降低，從而容易地剝離芯片。
顆粒越大，刀片壽命越長；顆粒越小，刀片壽命越短。 顆粒集中度的影響 顆粒集中度對劃片質(zhì)量也非常關(guān)鍵。 關(guān)于相同的金剛石顆粒大小會消費出不同集中度的刀片，劃片效果也會有很大差別。 目前，劃片刀常見有5種規(guī)格，分別是：50、70、90、110、130。 依據(jù)實踐測試得出，高集中度的金剛石顆粒，劃片阻力小，劃片速度快，，還能夠延長劃片刀的壽命，減少晶圓正面崩缺