反向恢復(fù)時(shí)間（tr）的定義：電流通過零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為大反向恢復(fù)電流。Irr為反向恢復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當(dāng)t≤t0時(shí)，正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時(shí)，由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時(shí)刻，I=0。然后整流器件過反向電流IR，并且IR逐漸增大；在t=t2時(shí)刻達(dá)到大反向恢復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，并在t=t3時(shí)刻達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相似之處。

通常，5~20A的快恢復(fù)二極管采用TO-220FP塑料封裝，20A以上的大功率快恢復(fù)二極管采用頂部帶金屬散熱片的TO-3P塑料封裝，5A一下的快恢復(fù)二極管則采用DO-41，DO-15，或D0-27等規(guī)格塑料封裝。

芯片的接觸區(qū)域真空沉積金屬層，實(shí)質(zhì)上這有助于它們的高功率循環(huán)應(yīng)用能力和適合芯片的封裝工藝。所有在硅晶圓片上加工處理的芯片在樣品測試后，自動(dòng)標(biāo)識不符合電氣說明的芯片，然后世成小顆粒。芯片顆粒的可形狀是正方形或長方形的。

在二極管中，超快恢復(fù)二極管是一個(gè)不可或缺的存在。由于僅有幾十納秒級的反向恢復(fù)時(shí)間，同時(shí)能夠禁受得住幾百伏甚至上千伏的反向高壓，所以它們一直在中高功率的開關(guān)整流應(yīng)用中大顯身手。

快恢復(fù)二極管(Fast Recovery Diode,簡稱FRD)是一種具有快速反向恢復(fù)時(shí)間的二極管。它在電源電路和高速開關(guān)電路中應(yīng)用廣泛，可以提高整流效率、降低電源噪聲、減少開關(guān)損耗，提高電路的可靠性和穩(wěn)定性。

快恢復(fù)二極管與常規(guī)的二極管結(jié)構(gòu)類似，由正向PN結(jié)和反向PN結(jié)構(gòu)成。但快恢復(fù)二極管在兩側(cè)分別加入了一層高濃度的摻雜區(qū)域，形成了一個(gè)帶有淺反型層的PN結(jié)。當(dāng)反向電壓施加到二極管上時(shí)，由于反型層的存在，使得該層內(nèi)的載流子在接近PN結(jié)時(shí)重新被抽出，從而縮短反向恢復(fù)時(shí)間。