STW70N65DM6
N溝道650 V、360 mOhm典型值、68 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封裝
這款高壓 N 溝道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢復(fù)二極管系列的一部分。與上一代MDmesh快速產(chǎn)品相比，DM6具有非常低的恢復(fù)電荷（QRR）、恢復(fù)時(shí)間 （tRR）和R的出色改進(jìn)DS（開(kāi)啟）單位面積，具有市場(chǎng)上有效的開(kāi)關(guān)行為之一，適用于要求苛刻的橋式拓?fù)浜?ZVS 移相轉(zhuǎn)換器。
ST其他部分單片機(jī)MCU型號(hào)：
STM32F101R6T6
STM32F101C6T6
STM32F103C6T6
STM32F103R6T6
STM32F101T6U6
STM32F103T6U6
STM32L433CCT6
STM32L443CCU6
STM32F334R8T6
STM32L433RCI6
STM32L443CCT6
STM32L432KCU3
STM32L083VZT6
STM32L452RCI6
STM32L451CEU6ST/意法常用型號(hào)備有大量現(xiàn)貨，公司承諾所售產(chǎn)品均為原裝，更多產(chǎn)品型號(hào)規(guī)格請(qǐng)咨詢我們的銷售人員。

RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射頻功率 LDMOS 晶體管
功能
率和線性增益操作
集成靜電保護(hù)
內(nèi)部匹配，易于使用
針對(duì)多爾蒂應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
較大的正負(fù)柵極-源極電壓范圍，可改善 C 類操作
符合歐洲指令 2002/95/EC
ST其他部分單片機(jī)型號(hào)：
STM32L476RET6
STM32L4P5CET6
STM32F412CGU6
STM32F303VET6
STM32L151QEH6
STM32F413CGU6
STM32L496RET6
STM32L486RGT6
STM32F446ZCJ6
STM32G474QET6
ST/意法常用型號(hào)備有大量現(xiàn)貨，公司承諾所售產(chǎn)品均為原裝，我們只做原裝，歡迎合作！

SCTW35N65G2VAG
汽車級(jí)碳化硅功率MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），采用HiP247封裝
這款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半導(dǎo)體創(chuàng)新的2德·一代碳化硅MOSFET技術(shù)。該器件具有極低的單位面積導(dǎo)通電阻和非常好的開(kāi)關(guān)性能。開(kāi)關(guān)損耗的變化幾乎與結(jié)溫?zé)o關(guān)。
ST意法其他部分MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)：
STM32L496QGI3
STM32F423ZHT6
STM32L496ZGT3
STM32L4R5QII6
STM32L4S5QII6
STM32L4R7VIT6
STM32F217IGH6
STM32L4S5ZIT6
STM32F746IGK6
STM32L4R9ZGJ6
STM32F746NGH6
STM32L4S9ZIJ6
STM32F777VIT6
STM32C011J6M6
STM32G030J6M6
ST/意法常用型號(hào)備有大量現(xiàn)貨，公司承諾所售產(chǎn)品均為原裝，我們只做原裝，歡迎合作！

STB15N80K5
N溝道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封裝
這款壓N-溝道功率MOSFET s采用MDmesh? K5技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。該技術(shù)以創(chuàng)新專有的垂直工藝為基礎(chǔ)。因此，在要求高功率密度和率的應(yīng)用中，導(dǎo)通電阻顯著降低，并具有極低的柵極電荷。
所有功能：
業(yè)界的低 RDS(on)x 面積
業(yè)界出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM）
極低的柵極電荷
經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試
穩(wěn)壓保護(hù)
ST意法其他部分單片機(jī)MCU型號(hào)：
STM32G071C8T6
STM32L031K6T7
STM32L031C6T7
STM32F301K6U6
STM32G071KBT6
STM32G0B0RET6
STM32L052K6U6
STM32G071CBT6
STM32L051K8T6
STM32L071K8U6
STM32L412C8T6
STM32G071GBU3
STM32F301K8U7
STM32G071RBT6
STM32L052C8T6ST/意法常用型號(hào)備有大量現(xiàn)貨，我們只做原裝，歡迎合作！

STE40NC60
N溝道600V 0.098 Ohm 40A ISOTOP POWERMESH II MOSFET
The PowerMESH?二是代網(wǎng)格覆蓋的演變?.引入的布局改進(jìn)地改善了 Ron* 面積品質(zhì)因數(shù)，同時(shí)使器件在速度、柵極電荷和耐用性方面保持。
所有功能：
典型 RDS（打開(kāi)）= 0.098 Ω
雪崩測(cè)試
的DV/dt能力
柵極電荷小化
新的高壓基準(zhǔn)
ST意法其他部分單片機(jī)型號(hào)：
STM32G484RET6
STM32L562VET6
STM32F446ZET7
STM32F303ZET7
STM32L476RGT3
STM32H733VGT6
STM32L486ZGT6
STM32F205ZET7
STM32L476VGT3
STM32L496AGI6
STM32F469VET6
STM32L476QGI3
STM32L4A6ZGT6
STM32L4R5QGI6
STM32F415ZGT6
ST/意法常用型號(hào)備有大量現(xiàn)貨，我們只做原裝，歡迎合作！

STFH10N60M2
N溝道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP寬沿面封裝
STFU10N80K5
N溝道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP超窄引線封裝
這些壓 N 溝道功率 MOSFET 采用 MDmesh? K5 技術(shù)設(shè)計(jì)，該技術(shù)基于創(chuàng)新的專有垂直結(jié)構(gòu)。其結(jié)果是顯著降低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷，適用于需要功率密度和率的應(yīng)用。
ST意法其他部分單片機(jī)型號(hào)：
STM32G051K6T6
STM32L031F6P7
STM32L031F4P3
STM32L011K4U6
STM32G031C6T6
STM32G031C8U6
STM32L041F6P7
STM32L011K4T6
STM32G031C8T6
STM32G051C8U6
STM32L021K4T6
STM32L010RBT6
STM32G051C8T6
STM32L041K6U6
STM32L031C6T6
ST/意法常用型號(hào)備有大量現(xiàn)貨，我們只做原裝，歡迎合作！