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柵極電阻測(cè)試儀

更新時(shí)間:2025-01-02 [舉報(bào)]
華科智源結(jié)電容測(cè)試儀,可以測(cè)試MOS管,IGBT,SIC器件的柵極電阻和柵極電容,包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容,Rg等參數(shù),可以單點(diǎn)測(cè)試,也可以掃描測(cè)試曲線;

品牌: 華科智源
名稱: 柵極電阻測(cè)試儀
型號(hào): HUSTEC-CV-1200
用途: 測(cè)試MOS管結(jié)電容,Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容,Rg等參數(shù)
可測(cè)參數(shù): Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管結(jié)電容測(cè)試

可測(cè)器件: IGBT,二極管,氮化鎵、碳化硅 MOSFET 等

測(cè)試頻率:1MHz

測(cè)試電壓范圍:Vds 0~1200V,Vgs ±25V

信號(hào)電壓范圍:1mV~1000mV

Rg 范圍:≤300Ω

測(cè)試精度:0.01pf



華科智源柵極電阻/柵極電容測(cè)試儀特點(diǎn):

1,測(cè)試速度快。

2,可點(diǎn)測(cè)和掃描曲線。

3,測(cè)試精度高,測(cè)試結(jié)果穩(wěn)定。

4,可隨時(shí)保存數(shù)據(jù)和波形,可直接生成規(guī)格書用的圖片或 CSV 描點(diǎn)文件。
標(biāo)簽:柵極電阻測(cè)試儀柵極電容測(cè)試儀
深圳市華科智源科技有限公司
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