近兩年農(nóng)業(yè)照明產(chǎn)品的生產(chǎn)和出口出現(xiàn)了一些波動(dòng)，但是從長遠(yuǎn)看，我國農(nóng)業(yè)照明領(lǐng)域尚處于發(fā)展的初期，未來發(fā)展的潛能，中國照明電器協(xié)會(huì)將繼續(xù)發(fā)揮行業(yè)協(xié)會(huì)的服務(wù)和協(xié)調(diào)作用，以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)和供給行業(yè)需求，從科技創(chuàng)新、質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、市場融通等三個(gè)方面農(nóng)業(yè)照明領(lǐng)域的新篇章，協(xié)會(huì)也將更加重視當(dāng)前照明技術(shù)在農(nóng)業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用與國外水平的差距，進(jìn)一步深耕農(nóng)業(yè)照明領(lǐng)域需要關(guān)注的和方向。

照明原理
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導(dǎo)體制成的，其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-V特性，即正向?qū)?，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子（少子）一部分與多數(shù)載流子（多子）復(fù)合而發(fā)光。
假設(shè)發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復(fù)合發(fā)光。除了這種發(fā)光復(fù)合外，還有些電子被非發(fā)光中心（這個(gè)中心介于導(dǎo)帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復(fù)合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發(fā)光的復(fù)合量相對(duì)于非發(fā)光復(fù)合量的比例越大，光量子效率越高。由于復(fù)合是在少子擴(kuò)散區(qū)內(nèi)發(fā)光的，所以光僅在靠近PN結(jié)面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生。
理論和實(shí)踐證明，光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導(dǎo)體材料帶隙Eg有關(guān)，即 λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產(chǎn)生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導(dǎo)體材料的Eg應(yīng)在3.26～1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍(lán)光發(fā)光二極管，但其中藍(lán)光二極管成本、價(jià)格很高，使用不普遍。

（1）允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的大值。超過此值，LED發(fā)熱、損壞。
（2）大正向直流電流IFm：允許加的大的正向直流電流。超過此值可損壞二極管。
（3）大反向電壓VRm：所允許加的大反向電壓。超過此值，發(fā)光二極管可能被擊穿損壞。
（4）工作環(huán)境topm:發(fā)光二極管可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或此溫度范圍，發(fā)光二極管將不能正常工作，效率大大降低。
不改變材質(zhì)的前提下，在LED的極限范圍內(nèi)，提高亮度的手段就是提高電流，隨著電流升高，LED發(fā)熱量會(huì)劇增。使用過LED光源便攜投影機(jī)的，或微投的朋友，一定都深有體會(huì)，LED光源的投影機(jī)，非常熱，而且普遍會(huì)有明顯的噪音。這些產(chǎn)品，機(jī)身小是一方面，關(guān)鍵還是其自身發(fā)熱量較大所致。
隨著功率的增加，LED的散熱問題顯得越來越，大量實(shí)際應(yīng)用表明，LED不能加大輸入功率的基本原因，是由于LED在工作過程中會(huì)放出大量的熱，使管芯結(jié)溫迅速上升，熱阻變大。輸入功率越高，發(fā)熱效應(yīng)越大。溫度的升高將導(dǎo)致器件性能變化與衰減，非輻射復(fù)合增加，器件的漏電流增加，半導(dǎo)體材料缺陷增長，金屬電極電遷移，封裝用環(huán)氧樹脂黃化等等，嚴(yán)重影響LED的光電參數(shù)。甚至使功率LED失效。因此，對(duì)于LED器件，降低熱阻與結(jié)溫、對(duì)發(fā)光二極管的熱特性進(jìn)行研究顯得日趨重要。

如今有些供貨商為了處理這個(gè)難題，創(chuàng)造了無鋁電解電容的LED驅(qū)動(dòng)電源計(jì)劃。但并不是所有的LED驅(qū)動(dòng)電源供貨商都擁護(hù)這種做法。陳嶸指出：“當(dāng)前量產(chǎn)的LED驅(qū)動(dòng)電源中沒有一款是選用了無電解電容的驅(qū)動(dòng)計(jì)劃，由于沒有它的話，許多試驗(yàn)規(guī)范通不過，如EMI測驗(yàn)和無閃爍測驗(yàn)?！?br /> 而選用鋁電解電容的LED驅(qū)動(dòng)電源計(jì)劃很簡單通常以上測驗(yàn)， pcb抄板若是換成薄膜電容和陶瓷電容或鉭電容，情況如何呢？薄膜電容要到達(dá)一樣的電容量（通常為100-220uF），體積就會(huì)很大，并且本錢也太高，陶瓷電容通常容量太小，如用多個(gè)陶瓷電容完成這么大的容量，占板面積和本錢都太大，鉭電容要具有這么大容量，一是太貴，而是耐壓太低達(dá)不到需求，因而換成其它任何品種的電容，基本上不是體積太大，就是太貴，如為了這些缺陷換成容量較小的電容，消除紋波的作用就沒有那么好，許多出口產(chǎn)品所需的嚴(yán)厲認(rèn)證測驗(yàn)?zāi)繕?biāo)就無法經(jīng)過，因而當(dāng)前的LED驅(qū)動(dòng)電源仍是遍及選用鋁電解電容。

隨著美國環(huán)保署于2011年10月公布新版固態(tài)照明燈具及光源產(chǎn)品上市規(guī)范，業(yè)界指出，備受關(guān)注的LM-80的光衰測試，預(yù)計(jì)將從2012年4月起強(qiáng)制實(shí)施，在新規(guī)范上路后，未來北美市場燈具廠商將采購?fù)ㄟ^LM-80驗(yàn)證的LED產(chǎn)品，對(duì)于未受驗(yàn)證的臺(tái)灣LED封裝及晶粒廠，日后進(jìn)軍美國市場恐將遭受阻礙。
由于LM-80的光衰驗(yàn)證需經(jīng)過6,000小時(shí)測試，耗時(shí)長達(dá)6~8個(gè)月，部分LED業(yè)界認(rèn)為，LED產(chǎn)品規(guī)格及技術(shù)日新月異，在經(jīng)過長達(dá)數(shù)個(gè)月后，LED照明驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)可能又將改變，故對(duì)此認(rèn)證仍抱持存疑，不過工研= 表示，LM-80被視為進(jìn)入美國市場的入場券，廠商出具LM-80(LED流明維持率)試驗(yàn)的報(bào)告證書，才能取得能源之星標(biāo)章，北美照明工程學(xué)會(huì)(IES)也已訂出LM-80的光衰減檢測標(biāo)準(zhǔn)，不僅為LED應(yīng)用產(chǎn)品提供量測標(biāo)準(zhǔn)，也為消費(fèi)者提供品質(zhì)，將成為全球共通的檢測標(biāo)準(zhǔn)。

廣泛應(yīng)用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明和城市景觀照明等領(lǐng)域。世界上一些經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)國家圍繞LED的研制展開了激烈的技術(shù)競賽。美國從2000年起投資5億美元實(shí)施“國家半導(dǎo)體照明計(jì)劃”，歐盟也在2000年7月宣布啟動(dòng)類似的“彩虹計(jì)劃”。我國科技部在“863”計(jì)劃的支持下，2003年6月份提出發(fā)展半導(dǎo)體照明計(jì)劃。 多年來，LED照明以其節(jié)能、環(huán)保的優(yōu)勢，已受到國家和各級(jí)的重視，各地紛紛出臺(tái)相關(guān)政策和舉措加快LED燈具的發(fā)展；大眾消費(fèi)者也對(duì)這種環(huán)保新型的照明產(chǎn)品渴求已久。但是，由于投入在技術(shù)和推廣上的成本居高不下，使得令萬千消費(fèi)者翹首以待的LED照明產(chǎn)品一直可望而不可及，遲遲未能揭開其神秘的面紗！